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奇碼硬件開發(fā)類筆試題目
奇碼筆試真題(一)
第一卷
一,填空
奇碼筆試1,集成電路的分類,按資料,工藝
奇碼筆試2,集成電阻的計算,以及其制造工藝
奇碼筆試3,Vtp,Vtn的正負判別,分別關(guān)于加強型和耗盡型
奇碼筆試4,CMOS電路功耗包括哪兩個局部,功耗設(shè)計主要思索的要素
二,填表
全定制,門陣列,F(xiàn)PGA各自單元模塊,連線的性質(zhì)
三,填圖
CMOS工藝流程填圖畫圖
四,問答
奇碼筆試1,CMOS單元負載較大的電容時,只要進步W,這樣會使W*L增加,相對前級又時一個大電容,如何處理這一矛盾?
奇碼筆試2,分離軟件談?wù)勅ㄖ萍呻娐吩O(shè)計流程
奇碼筆試3,談?wù)剬ayout設(shè)計的見地
五,翻幅員或者畫幅員,選一
第二卷
奇碼筆試1,什么時格雷碼?
奇碼筆試2,Nyquist采樣定例
奇碼筆試3,球一米高落下,每次探起一半,求路途和重力做功
奇碼筆試4,運算放大器1,…………2,有幾級,各級之間耦合方式有幾種,剖析各種的優(yōu)劣,
奇碼硬件開發(fā)類筆試題目
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