電子類公司筆試題
一、模擬電路
1基爾霍夫定理的內(nèi)容是什么？（仕蘭微電子）
基爾霍夫電流定律是一個(gè)電荷守恒定律,即在一個(gè)電路中流入一個(gè)節(jié)點(diǎn)的電荷與流出同一個(gè)節(jié)點(diǎn)的電荷相等.
基爾霍夫電壓定律是一個(gè)能量守恒定律,即在一個(gè)回路中回路電壓之和為零.
2、平板電容公式(C=εS/4πkd)，
電子類公司筆試題
。（未知）3、最基本的如三極管曲線特性。（未知）
4、描述反饋電路的概念，列舉他們的應(yīng)用。（仕蘭微電子）
5、負(fù)反饋種類（電壓并聯(lián)反饋，電流串聯(lián)反饋，電壓串聯(lián)反饋和電流并聯(lián)反饋）；負(fù)反饋的優(yōu)點(diǎn)（降低放大器的增益靈敏度，改變輸入電阻和輸出電阻，改善放大器的線性和非 線性失真，有效地?cái)U(kuò)展放大器的通頻帶，自動(dòng)調(diào)節(jié)作用）（未知）
6、放大電路的頻率補(bǔ)償?shù)哪康氖鞘裁�，有哪些方法？（仕蘭微電子）
7、頻率響應(yīng)，如：怎么才算是穩(wěn)定的，如何改變頻響曲線的幾個(gè)方法。（未知）
8、給出一個(gè)查分運(yùn)放，如何相位補(bǔ)償，并畫(huà)補(bǔ)償后的波特圖。（凹凸）
9、基本放大電路種類（電壓放大器，電流放大器，互導(dǎo)放大器和互阻放大器），優(yōu)缺點(diǎn)，特別是廣泛采用差分結(jié)構(gòu)的原因。（未知）
10、給出一差分電路，告訴其輸出電壓Y 和Y-,求共模分量和差模分量。（未知）
11、畫(huà)差放的兩個(gè)輸入管。（凹凸）
12、畫(huà)出由運(yùn)放構(gòu)成加法、減法、微分、積分運(yùn)算的電路原理圖。并畫(huà)出一個(gè)晶體管級(jí)的 運(yùn)放電路。（仕蘭微電子）
13、用運(yùn)算放大器組成一個(gè)10倍的放大器。（未知）
14、給出一個(gè)簡(jiǎn)單電路，讓你分析輸出電壓的特性（就是個(gè)積分電路），并求輸出端某點(diǎn) 的rise/fall時(shí)間。(Infineon筆試試題)
15、電阻R和電容C串聯(lián)，輸入電壓為R和C之間的電壓，輸出電壓分別為C上電壓和R上電壓，要求制這兩種電路輸入電壓的頻譜，判斷這兩種電路何為高通濾波器，何為低通濾波器。當(dāng)RC18、說(shuō)說(shuō)靜態(tài)、動(dòng)態(tài)時(shí)序模擬的優(yōu)缺點(diǎn)。（威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題）
19、一個(gè)四級(jí)的Mux,其中第二級(jí)信號(hào)為關(guān)鍵信號(hào) 如何改善timing。（威盛VIA2003.11.06 上海筆試試題）
20、給出一個(gè)門(mén)級(jí)的圖，又給了各個(gè)門(mén)的傳輸延時(shí)，問(wèn)關(guān)鍵路徑是什么，還問(wèn)給出輸入，使得輸出依賴于關(guān)鍵路徑。（未知）
21、邏輯方面數(shù)字電路的卡諾圖化簡(jiǎn)，時(shí)序（同步異步差異），觸發(fā)器有幾種（區(qū)別，優(yōu)點(diǎn)），全加器等等。（未知）
22、卡諾圖寫(xiě)出邏輯表達(dá)使。（威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題）
23、化簡(jiǎn)F(A,B,C,D)= m(1,3,4,5,10,11,12,13,14,15)的和。（威盛）
24、please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P-well process.Plot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve? （威盛筆試題circuit design-beijing-03.11.09）
25、To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?
26、為什么一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的倒相器中P管的寬長(zhǎng)比要比N管的寬長(zhǎng)比大？（仕蘭微電子）
27、用mos管搭出一個(gè)二輸入與非門(mén)，
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《電子類公司筆試題》(http://www.oriental01.com)。（揚(yáng)智電子筆試）28、please draw the transistor level schematic of a cmos 2 input AND gate and explain which input has faster response for output rising edge.(less delay time)。（威盛筆試題circuit design-beijing-03.11.09）
29、畫(huà)出NOT,NAND,NOR的'符號(hào)，真值表，還有transistor level的電路。（Infineon筆試） 30、畫(huà)出CMOS的圖，畫(huà)出tow-to-one mux gate。（威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題）
31、用一個(gè)二選一mux和一個(gè)inv實(shí)現(xiàn)異或。（飛利浦－大唐筆試）
32、畫(huà)出Y=A*B C的cmos電路圖。（科廣試題）
33、用邏輯們和cmos電路實(shí)現(xiàn)ab cd。（飛利浦－大唐筆試）
34、畫(huà)出CMOS電路的晶體管級(jí)電路圖，實(shí)現(xiàn)Y=A*B C(D E)。（仕蘭微電子）
35、利用4選1實(shí)現(xiàn)F(x,y,z)=xz yz’。（未知）
36、給一個(gè)表達(dá)式f=xxxx xxxx xxxxx xxxx用最少數(shù)量的與非門(mén)實(shí)現(xiàn)（實(shí)際上就是化簡(jiǎn)）。
37、給出一個(gè)簡(jiǎn)單的由多個(gè)NOT,NAND,NOR組成的原理圖，根據(jù)輸入波形畫(huà)出各點(diǎn)波形。（Infineon筆試）
38、為了實(shí)現(xiàn)邏輯（A XOR B）OR （C AND D），請(qǐng)選用以下邏輯中的一種，并說(shuō)明為什么？1）INV 2）AND 3）OR 4）NAND 5）NOR 6）XOR 答案：NAND（未知）
39、用與非門(mén)等設(shè)計(jì)全加法器。（華為）
40、給出兩個(gè)門(mén)電路讓你分析異同。（華為）
41、用簡(jiǎn)單電路實(shí)現(xiàn)，當(dāng)A為輸入時(shí)，輸出B波形為…（仕蘭微電子）
42、A,B,C,D,E進(jìn)行投票，多數(shù)服從少數(shù)，輸出是F（也就是如果A,B,C,D,E中1的個(gè)數(shù)比0 多，那么F輸出為1，否則F為0），用與非門(mén)實(shí)現(xiàn)，輸入數(shù)目沒(méi)有限制。（未知）
43、用波形表示D觸發(fā)器的功能。（揚(yáng)智電子筆試）
44、用傳輸門(mén)和倒向器搭一個(gè)邊沿觸發(fā)器。（揚(yáng)智電子筆試）
45、用邏輯們畫(huà)出D觸發(fā)器。（威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題）
46、畫(huà)出DFF的結(jié)構(gòu)圖,用verilog實(shí)現(xiàn)之。（威盛）
47、畫(huà)出一種CMOS的D鎖存器的電路圖和版圖。（未知）
48、D觸發(fā)器和D鎖存器的區(qū)別。（新太硬件面試）
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