電子輻照下聚酰亞胺薄膜的深層充電現(xiàn)象研究

空間輻射環(huán)境下聚合物絕緣材料的深層充放電效應是威脅航天器安全的重要因素之一.文章利用能量為5～100keV的單能電子槍,研究了不同束流強度電子輻照下聚酰亞胺薄膜樣品的深層充電過程.實驗表明,在102 pA量級的電子束輻照下,聚酰亞胺薄膜樣品的表面電位迅速上升后緩慢變化,最終可以達到幾kV.在一定條件下,樣品表面電位隨著輻照電子束流密度和樣品厚度的增加而增大;充電達到平衡所需的時間隨著輻照電子束流密度和樣品厚度的增加而減少.輻照截止后聚酰亞胺薄膜樣品內(nèi)部電荷的泄放需經(jīng)歷較長時間,由衰減時間常數(shù)推測出的樣品電阻率要比采用傳統(tǒng)測量方法得到的結(jié)果高一個量級.

作 者： 張振龍 全榮輝 閆小娟 韓建偉 Zhang Zhenlong Quan Ronghui Yan Xiaojuan Han Jianwei   作者單位： 張振龍,韓建偉,Zhang Zhenlong,Han Jianwei(中國科學院,空間科學與應用研究中心,北京,100080)

全榮輝,閆小娟,Quan Ronghui,Yan Xiaojuan(中國科學院,空間科學與應用研究中心,北京,100080;中國科學院,研究生院,北京,100039) 

刊 名： 航天器環(huán)境工程  ISTIC 英文刊名： SPACECRAFT ENVIRONMENT ENGINEERING  年，卷(期)： 2008 25(1)  分類號： V416.5  關(guān)鍵詞： 航天器   深層充電   介質(zhì)材料   聚酰亞胺  

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