C/C-SiC復(fù)合材料兩種制備工藝及材料性能

以碳纖維整體氈為預(yù)制體,采用化學(xué)氣相滲透法(CVI)制備出低密度碳/碳復(fù)合材料,再分別采用液相硅滲透工藝(LSI)制備出密度為2.1g/cm3的碳/碳-碳化硅復(fù)合材料(C/C-SiC),及先驅(qū)體轉(zhuǎn)化工藝(PIP)制備出密度為1.9g/cm3的C/C-SiC.對(duì)2種工藝制備的C/C-SiC力學(xué)性能進(jìn)行了比較,結(jié)果表明:PIP工藝制備的C/C-SiC彎曲強(qiáng)度為287MPa,明顯高于LSI工藝制備的彎曲強(qiáng)度155MPa.

作 者： 朱耘璣 邱海鵬 孫明 李秀倩 羅京華   作者單位： 北京航空制造工程研究所  刊 名： 航空制造技術(shù)  ISTIC 英文刊名： AERONAUTICAL MANUFACTURING TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2009 ""(z1)  分類號(hào)： V2  關(guān)鍵詞： C/C-SiC   液相硅滲透工藝   先驅(qū)體轉(zhuǎn)化工藝   化學(xué)氣相滲透工藝  

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