光電耦合器位移損傷效應(yīng)研究

文章針對(duì)光電耦合器在空間輻射應(yīng)用中的位移損傷效應(yīng),選取了一種典型的光電耦合器4N25進(jìn)行了1MeV高能電子輻照試驗(yàn),獲得了輻照后器件電流傳輸比參數(shù)(CTR)的退化與電子注量的關(guān)系:在試驗(yàn)注量范圍(1.3×1012～1.5×1013cm-2)內(nèi),nCTR與電子通量成反比.通過位移損傷對(duì)器件及材料作用過程的分析,探討了光電耦合器位移損傷效應(yīng)作用機(jī)理.

作 者： 馮展祖 楊生勝 王云飛 高欣 王健 Feng Zhanzu Yang Shengsheng Wang Yunfei Gao Xin Wang Jian   作者單位： 蘭州物理研究所,真空低溫技術(shù)與物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,蘭州,730000  刊 名： 航天器環(huán)境工程  ISTIC 英文刊名： SPACECRAFT ENVIRONMENT ENGINEERING  年，卷(期)： 2009 26(2)  分類號(hào)： V416.5 TN366  關(guān)鍵詞： 光電耦合器   位移損傷   輻射效應(yīng)  

【光電耦合器位移損傷效應(yīng)研究】相關(guān)文章：

中科院光電研究院2012年碩士研究生招生簡章04-28

超限效應(yīng)03-19

不虞效應(yīng)11-30

單位移風(fēng)易俗倡議書05-23

中科院光電所2012年接收推薦免試研究生公告04-27

什么是海潮效應(yīng)？06-21

支護(hù)結(jié)構(gòu)最大水平位移允許值05-20

從眾效應(yīng)作文11-12

溫室效應(yīng)作文11-28

名人效應(yīng)作文12-05