退火對AlGaInP/GaInP多量子阱 LED外延片性能的影響

采用LP-MOCVD技術(shù)在n-GaAs襯底上生長了AlGaInP/GaInP多量子阱紅光LED外延片.研究表明退火對外延片性能有重要影響.與未退火樣品相比,460℃退火15 min,外延片p型GaP層的空穴濃度由5.6×1018cm-3增大到6.5×1018cm-3,p型AlGaInP層的空穴濃度由6.0×1017cm-3增大到1.1×1018cm-3.但退火溫度為780℃時,p型GaP層和p型AlGaInP層的空穴濃度分別下降至8×1017cm-3和1.7×1017cm-3,且Mg原子在AlGaInP系材料中的擴散加劇,導(dǎo)致未摻雜AlGaInP/GaInP多量子阱呈現(xiàn)p型電導(dǎo).在460～700℃退火范圍內(nèi),并沒有使AlGaInP/GaInP多量子阱的發(fā)光性能發(fā)生明顯變化.但退火溫度為780℃時,AlCaInP/GaInP多量子阱的發(fā)光強度是退火前的2倍.

作 者： 李述體 范廣涵 周天明 孫慧卿 王浩 鄭樹文 郭志友   作者單位： 華南師范大學(xué),光電子材料與技術(shù)研究所,廣東,廣州,510631  刊 名： 發(fā)光學(xué)報  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2004 25(5)  分類號： O472.3 O482.31  關(guān)鍵詞： AlGaInP   AlGaInP/GaInP多量子阱   金屬有機化學(xué)氣相沉積   電化學(xué)電容電壓分析   光致發(fā)光  

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