射頻反應濺射制備的ZnO薄膜的結構和發(fā)光特性

用射頻反應濺射在硅(100)襯底上生長了c軸擇優(yōu)取向的ZnO薄膜,用X射線衍射儀、熒光分光光度計和X射線光電子能譜儀對樣品進行了表征,分析研究了濺射功率、襯底溫度對樣品的結構和發(fā)光特性的影響.結果表明,濺射功率100W,襯底溫度300～400℃時,適合c軸擇優(yōu)取向和應力小的ZnO薄膜的生長.在樣品的室溫光致發(fā)光譜中觀察到了380nm的紫外激子峰和峰位在430 nm附近的藍光帶,并對藍光帶的起源進行了初步探討.

作 者： 朋興平 王志光 宋銀 季濤 臧航 楊映虎 金運范   作者單位： 朋興平(中國科學院近代物理研究所,蘭州,730000;蘭州大學物理科學與技術學院,蘭州,730000)

王志光,宋銀,臧航,金運范(中國科學院近代物理研究所,蘭州,730000)

季濤,楊映虎(蘭州大學物理科學與技術學院,蘭州,730000) 

刊 名： 中國科學G輯  ISTIC PKU 英文刊名： SCIENCE IN CHINA(SERIES G)  年，卷(期)： 2007 37(2)  分類號： O6  關鍵詞： ZnO薄膜   X射線衍射譜   光致發(fā)光譜   襯底溫度   射頻反應濺射  

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