含納米硅和納米鍺的氧化硅薄膜光致發(fā)光的比較研究?

分別以硅-二氧化硅和鍺-二氧化硅復(fù)合靶作為濺射靶，采用磁控濺射技術(shù)在p型硅襯底上淀積了含納米硅的氧化硅薄膜和含納米鍺的氧化硅薄膜.各樣品分別在氮?dú)夥罩薪?jīng)過300至1100℃不同溫度的退火處理.使用高分辨透射電子顯微鏡可以觀察到經(jīng)900和1100℃退火的含納米硅的氧化硅薄膜中的納米硅粒，和經(jīng)900和1100℃退火的含納米鍺的氧化硅薄膜中的納米鍺粒.經(jīng)過不同溫度退火處理的含納米硅的氧化硅和含納米鍺的氧化硅薄膜的光致發(fā)光譜均具有相似的峰型，且它們的發(fā)光峰位均位于580nm(2.1eV)附近.可以認(rèn)為含納米硅的氧化硅和含納米鍺的氧化硅薄膜的光發(fā)射主要來自于SiO2層中發(fā)光中心上的復(fù)合發(fā)光，對實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了合理的解釋.

作 者： 馬書懿 秦國剛 尤力平 王印月   作者單位： 馬書懿(西北師范大學(xué)物理系,)

秦國剛,尤力平(北京大學(xué)物理系,)

王印月(蘭州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,) 

刊 名： 物理學(xué)報(bào)  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2001 50(8)  分類號： O4  關(guān)鍵詞： 光致發(fā)光   納米硅   納米鍺   發(fā)光中心  

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