4H-SiC納米薄膜的微結(jié)構(gòu)及其光電性質(zhì)研究

采用新設(shè)計(jì)的電極結(jié)構(gòu)的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù),在高功率密度、高氫稀釋比、低溫、偏壓及低反應(yīng)氣壓的條件下,在襯底表面形成雙等離子流,增加了襯底表面SiC的成核概率,增強(qiáng)成核作用,形成納米晶.采用高H2等離子體刻蝕弱的、扭曲的、非晶Si-C及Si-Si和Si-H等鍵時(shí),由于H等離子體對(duì)納米SiC晶粒與非晶態(tài)鍵的差異刻蝕作用,產(chǎn)生自組織生長(zhǎng),發(fā)生晶化.Raman光譜和透射電子衍射(TEM)的測(cè)試結(jié)果表明,納米晶SiC是4H-SiC多型結(jié)構(gòu).電子顯微照片表明平均粒徑為16nm,形狀為微柱體.實(shí)驗(yàn)結(jié)果指出,SiC納米晶的形成必須經(jīng)過(guò)偏壓預(yù)處理成核,并且其晶化存在一個(gè)功率密度閾值;當(dāng)?shù)陀谶@一功率密度閾值時(shí),晶化消失;當(dāng)超過(guò)這一閾值時(shí),納米晶含量隨功率密度的提高而增加.隨著晶化作用的加強(qiáng),電導(dǎo)率增加.

作 者： 張洪濤 徐重陽(yáng) 鄒雪城 王長(zhǎng)安 趙伯芳 周雪梅 曾祥斌   作者單位： 張洪濤(華中科技大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系,武漢,430074；湖北工學(xué)院電氣工程與計(jì)算機(jī)科學(xué)系,武漢,430068)

徐重陽(yáng),鄒雪城,王長(zhǎng)安,趙伯芳,周雪梅,曾祥斌(華中科技大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系,武漢,430074) 

刊 名： 物理學(xué)報(bào)  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2002 51(2)  分類號(hào)： O4  關(guān)鍵詞： 4H-SiC   PECVD   納米結(jié)構(gòu)   多型薄膜   納米電子學(xué)  

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