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分子束外延生長(zhǎng)液晶光閥用ZnSxSe1-x薄膜的研究
描述了ZnSxSe1-x光盲紫外液晶光閥的結(jié)構(gòu)和工作原理,并從器件的電學(xué)模型出發(fā),著重討論了整體器件對(duì)ZnSxSe1-x光敏層的特殊要求.采用分子束外延技術(shù)在ITO導(dǎo)電玻璃上制備了具有(111)面定向生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)的ZnSxSe1-x多晶薄膜,通過(guò)控制反應(yīng)時(shí)的生長(zhǎng)參數(shù),制備出了符合器件設(shè)計(jì)要求的光敏層薄膜.室溫下,該薄膜的紫外/可見(jiàn)光響應(yīng)對(duì)比度大于103;響應(yīng)波長(zhǎng)截止邊可通過(guò)控制薄膜中的Se組分,在(360~410)nm范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào);薄膜的暗電阻率在(4.32 × 109~2.03×1011)Ω@m之間,并隨著晶粒的增大而減小;在液晶光閥工作的低頻段(<200Hz),其光/暗阻抗比在0.22~0.36之間.
作 者: 沈大可 Sou.I.K 韓高榮 杜丕一 闕端林 作者單位: 沈大可(浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,杭州,310027;香港科技大學(xué)物理系,香港九龍清水灣)Sou.I.K(香港科技大學(xué)物理系,香港九龍清水灣)
韓高榮,杜丕一,闕端林(浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,杭州,310027)
刊 名: 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào) ISTIC EI PKU 英文刊名: VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY 年,卷(期): 2002 22(6) 分類號(hào): O434.2 TN204 關(guān)鍵詞: 分子束外延 紫外液晶光閥 ZnSxSe1-x光敏層 ITO導(dǎo)電玻璃 光電特性【分子束外延生長(zhǎng)液晶光閥用ZnSxSe1-x薄膜的研究】相關(guān)文章:
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