γ-LiAlO2晶體的生長缺陷研究

γ-LiAlO2晶體是一種非常有前途的GaN襯底材料,本文利用化學(xué)腐蝕光學(xué)顯微術(shù)和同步輻射X射線形貌術(shù)研究了LiAlO2晶體的缺陷.結(jié)果表明,提拉法生長的γ-LiAlO2晶體中的缺陷主要為位錯(cuò)、包裹物和亞晶界.并發(fā)現(xiàn)在其(100)晶片上的腐蝕形貌兩面有較大差異.

作 者： 楊衛(wèi)橋 干福熹 鄧佩珍 徐軍 李杼智 蔣成勇   作者單位： 中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所,上海,201800  刊 名： 人工晶體學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS  年，卷(期)： 2002 31(6)  分類號(hào)： O774  關(guān)鍵詞： γ-LiAlO2晶體   缺陷   位錯(cuò)   同步輻射X射線形貌術(shù)   GaN襯底  

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