高溫下金屬薄膜生長(zhǎng)初期的模擬研究

采用實(shí)際的生長(zhǎng)模型和物理參量，用Monte Carlo方法對(duì)高溫下金屬薄膜的生長(zhǎng)過(guò)程進(jìn)行了模擬研究.綜合考慮了原子沉積、擴(kuò)散、成核、生長(zhǎng)和擴(kuò)散原子的再蒸發(fā)、原子沿島周界擴(kuò)散和島的合并等眾多過(guò)程后，模擬得到與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相當(dāng)一致的薄膜生長(zhǎng)形貌及其相應(yīng)的定量結(jié)果.通過(guò)動(dòng)態(tài)統(tǒng)計(jì)薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的島數(shù)目及薄膜生長(zhǎng)率，得到實(shí)驗(yàn)中不易直接獲得的高溫下薄膜生長(zhǎng)的許多細(xì)節(jié)，如島數(shù)目和薄膜生長(zhǎng)率隨表面溫度、覆蓋度變化的詳細(xì)情況等.

作 者： 吳鋒民 施建青 吳自勤   作者單位： 吳鋒民(浙江工業(yè)大學(xué)科學(xué)研究中心;浙江工業(yè)大學(xué)應(yīng)用物理系)

施建青(浙江工業(yè)大學(xué)應(yīng)用物理系,)

吳自勤(中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)天文與應(yīng)用物理系,) 

刊 名： 物理學(xué)報(bào)  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2001 50(8)  分類(lèi)號(hào)： O484  關(guān)鍵詞： 薄膜   MonteCarlo模擬   成核   島密度   薄膜生長(zhǎng)率  

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