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3d過渡金屬摻雜TiO2納米晶膜電極的光電化學(xué)研究

時(shí)間:2023-04-28 02:30:34 數(shù)理化學(xué)論文 我要投稿
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3d過渡金屬摻雜TiO2納米晶膜電極的光電化學(xué)研究

應(yīng)用原子力顯微鏡和x射線粉末法對(duì)3d過渡金屬離子Cr(Ⅲ),F(xiàn)e(Ⅲ),Mn(Ⅱ),Co(Ⅱ),Ni(Ⅱ),Cu(Ⅱ)和Zn(Ⅱ)摻雜TiO2納米晶粒(簡(jiǎn)寫為M3d-TiO2)作了表征,并用光電化學(xué)方法研究了M3d-TiO2納米結(jié)構(gòu)多孔膜電極.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,M3d-TiO2納米粒子的顆粒較均勻,粒徑約為15 nm,其晶型為銳鈦礦和板鈦礦的混晶.在所研究的M3d-TiO2中,只有Zn2+-TiO2電極的光電流大于未摻雜的TiO2納米結(jié)構(gòu)多孔膜電極.3d金屬離子的摻雜引起各電極的光電流信號(hào)在一定波長(zhǎng)范圍內(nèi)出現(xiàn)p-n轉(zhuǎn)型現(xiàn)象.

3d過渡金屬摻雜TiO2納米晶膜電極的光電化學(xué)研究

作 者: 李衛(wèi)華 喬學(xué)斌 高恩勤 楊邁之 郝彥忠 蔡生民 LI Wei-Hua QIAO Xue-bin GAO En-Qin YANG Mai-zhi HAO Yan-Zhong CAI Sheng-min   作者單位: 李衛(wèi)華,LI Wei-Hua(安徽省宿州師范?茖W(xué)校,宿州 234000)

喬學(xué)斌,高恩勤,楊邁之,郝彥忠,蔡生民,QIAO Xue-bin,GAO En-Qin,YANG Mai-zhi,HAO Yan-Zhong,CAI Sheng-min(北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院,北京 100871) 

刊 名: 高等學(xué)校化學(xué)學(xué)報(bào)  ISTIC SCI PKU 英文刊名: CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES  年,卷(期): 2000 21(10)  分類號(hào): O649.4  關(guān)鍵詞: 3d過渡金屬摻雜   TiO2納米結(jié)構(gòu)多孔膜電極   n-p轉(zhuǎn)型   光電化學(xué)   Doping of 3d transition metal   TiO2 nanostructured porous film electrode   n-p Type inversion   Photoelectrochemistry  

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