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量子阱結(jié)構(gòu)中的等效寬度分析
在有效質(zhì)量近似下,分析了有限深勢阱的電子基態(tài)能級(jí),并和有相同能級(jí)的無限深勢阱模型作比較,用數(shù)值方法得到了不同電場下兩者之間的阱寬的關(guān)系 ,首次得出經(jīng)驗(yàn)公式,發(fā)現(xiàn)結(jié)果與前人的實(shí)驗(yàn)和理論結(jié)果吻合得很好.分析了兩種模型下的波函數(shù)和結(jié)合能,證實(shí)了有外加電場時(shí)采用零電場下的等效寬度的合理性.
作 者： 周小平 周劍英 楊愛齡 李錫華 江曉清 王明華 作者單位： 浙江大學(xué)信息與電子工程學(xué)系,杭州,310027 刊 名： 半導(dǎo)體學(xué)報(bào) ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 年，卷(期)： 2002 23(7) 分類號(hào)： O471.1 關(guān)鍵詞： 量子阱 等效寬度 結(jié)合能 GaAs/GaAlAs【量子阱結(jié)構(gòu)中的等效寬度分析】相關(guān)文章：
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