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摻雜納米硅薄膜的生長特性
采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法成功的沉積出摻雜(主要是磷、硼)納米硅薄膜.探討了各種生長工藝條件對摻雜納米硅薄膜的結(jié)構(gòu)與性能的影響及其規(guī)律.利用高分辨電鏡(HREM)、Raman散射等手段對摻入不同雜質(zhì)后的納米硅薄膜的微結(jié)構(gòu)進(jìn)行初步研究,并從實驗和理論上對摻雜納米硅薄膜的生長特性進(jìn)行了探討.得出摻雜納米硅薄膜具有與摻雜非晶硅薄膜和摻雜微晶硅薄膜不同的生長特性,即雜質(zhì)原子絕大部分是非活性的,只有很少一部分在薄膜中起施主作用.大部分非活性的雜質(zhì)原子存在于晶粒間界.
作 者： 王金良 徐剛毅 王天民 作者單位： 北京航空航天大學(xué),理學(xué)院,北京,100083 刊 名： 北京航空航天大學(xué)學(xué)報 ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF BEIJING UNIVERSITY OF AERONAUTICS AND ASTRONAUTICS 年，卷(期)： 2002 28(2) 分類號： O484.1 關(guān)鍵詞： 硅膜 混合物 生長特性【摻雜納米硅薄膜的生長特性】相關(guān)文章：
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