CdSe/HgSe/CdSe量子點(diǎn)量子阱(QDQW)晶粒的光學(xué)性質(zhì)和電子結(jié)構(gòu)?

以CdSe納米晶體為核,用膠體化學(xué)的方法,通過(guò)化學(xué)替代反應(yīng),獲得了不同阱層或不同壘層的CdSe/HgSe/CdSe量子點(diǎn)量子阱( QDQW)晶體.紫外-可見(jiàn)光吸收譜研究表明,通過(guò)調(diào)節(jié)QDQW中間HgSe阱層的厚度從0.9*!nm至0,可以調(diào)節(jié)QDQW顆粒的帶隙從1.8變化至2.1*!eV,實(shí)現(xiàn)QDQW納米晶體的剪裁.光致熒光(PL)譜研究顯示,QDQW形成后,CdSe/HgSe納米顆粒表面態(tài)得到鈍化,顯現(xiàn)出發(fā)光強(qiáng)度加強(qiáng)的帶邊熒光峰.利用有效質(zhì)量近似模型,對(duì)QDQW晶粒內(nèi)部電子的1s-1s態(tài)進(jìn)行了估算,估算結(jié)果總體趨勢(shì)與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相符.

作 者： 徐嶺 馬懿 李明海 黃信凡 陳坤基   作者單位： 南京大學(xué)物理系,固體微結(jié)構(gòu)物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,南京,210093  刊 名： 物理學(xué)報(bào)  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2002 51(4)  分類號(hào)： O4  關(guān)鍵詞： 量子點(diǎn)量子阱晶體   能帶剪裁   加強(qiáng)的帶邊熒光峰  

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