用于暗物質(zhì)探測(cè)實(shí)驗(yàn)的CsI(Tl)晶體探測(cè)器性能的實(shí)驗(yàn)研究

在直接測(cè)量暗物質(zhì)的實(shí)驗(yàn)中,反沖核能量的Quenching Factor是一個(gè)重要參數(shù). 用低能X射線源對(duì)一套測(cè)量入射中子引起的反沖核能量Quenching Factor的系統(tǒng)進(jìn)行了能量刻度,得到了這套系統(tǒng)的能量響應(yīng)關(guān)系.PMT單光電子的發(fā)射對(duì)應(yīng)于晶體中的能量沉積約為0.32keV. 同時(shí)研究了不同能量的X射線引起的PMT輸出電流信號(hào)的積分時(shí)間寬度與積分電荷的關(guān)系,得到最佳的PMT輸出電荷收集條件.

作 者： 岳騫 劉延 李金 王子敬 王名儒   作者單位： 岳騫,劉延,李金(中國科學(xué)院高能物理研究所,北京,100039)

王子敬(中研院物理研究所,臺(tái)北,11529)

王名儒(臺(tái)灣大學(xué)物理系,臺(tái)北,10600) 

刊 名： 高能物理與核物理  ISTIC SCI PKU 英文刊名： HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS  年，卷(期)： 2002 26(7)  分類號(hào)： O4  關(guān)鍵詞： 暗物質(zhì) CsI(Tl)晶體 單光電子 能量刻度   dark matter   CsI(Tl) crystal   single photoelectron   energy calibration  

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