Pt和Sb、S吸附原子修飾的Pt電極上正丙醇氧化的CV和EQCM研究

運(yùn)用電化學(xué)循環(huán)伏安法和石英晶體微天平研究了正丙醇在Pt電極和以Sb、S吸附原子修飾的Pt(Pt/Sbad和Pt/Sad)電極上的吸附和氧化過程.從電極表面質(zhì)量變化角度指出正丙醇的氧化與電極表面氧物種有著極其密切的關(guān)系.Pt電極表面Sb吸附原子能在較低的電位下吸附氧,可顯著提高正丙醇電催化氧化活性,與在Pt電極上相比較,正丙醇氧化的峰電位負(fù)移了0.29V,峰電流增加了近2倍.相反,Pt電極表面S吸附原子的氧化會(huì)消耗表面氧物種,飽和吸附S原子的Pt電極上正丙醇的電氧化受到抑制.本文從表面質(zhì)量變化提供了吸附原子電催化作用的新數(shù)據(jù).

作 者： 陳國良 林珩 鄭杏紅 陳聲培 孫世剛   作者單位： 陳國良,林珩,鄭杏紅(漳州師范學(xué)院化學(xué)系,漳州,363000)

陳聲培,孫世剛(廈門大學(xué)化學(xué)系,固體表面物理化學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,廈門,361005) 

刊 名： 物理化學(xué)學(xué)報(bào)  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA  年，卷(期)： 2002 18(2)  分類號(hào)： O646.54 O433  關(guān)鍵詞： 石英晶體微天平(EQCM)   Pt電極   修飾電極   正丙醇   循環(huán)伏安(CV)  

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