等離子體刻蝕對(duì)Nafion(R)膜性能的影響

介紹了不同等離子體刻蝕條件對(duì)用于電解水制氫領(lǐng)域的Nafion(R)117膜的性能影響.測(cè)試經(jīng)表面刻蝕處理的Nafion(R)膜的含水率、交換容量和電解性能,尋找最適用于Nafion(R)膜表面刻蝕的條件.適宜的刻蝕有效地?cái)U(kuò)大了Nafion(R)膜和催化電極之間的反應(yīng)界面,并且使電極形成多孔結(jié)構(gòu),有利于產(chǎn)生的氣體從電極上釋放,降低槽電壓.但過(guò)度刻蝕將破壞膜的離子簇,導(dǎo)致氣阻增加,引起槽體性能下降.因此應(yīng)嚴(yán)格控制射頻功率和處理時(shí)間.

作 者： 唐金庫(kù) 巴俊洲 蔣亞雄 李軍 TANG Jin-ku BA Jun-zhou JIANG Ya-xiong LI Jun   作者單位： 中國(guó)船舶重工集團(tuán)公司第七一八研究所,河北,邯鄲,056027  刊 名： 艦船科學(xué)技術(shù)  ISTIC PKU 英文刊名： SHIP SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2007 29(6)  分類號(hào)： O63.3  關(guān)鍵詞： 等離子體刻蝕   Nafion(R)   膜-電極界面  

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