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蒸發(fā)速率對(duì)Si襯底上SSMBE外延SiC薄膜的影響
采用固源分子束外延(SSMBE)生長技術(shù),用不同的蒸發(fā)速率,在Si(111)襯底上生長SiC薄膜.利用反射式高能電子衍射(RHEED)、X射線衍射(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)等實(shí)驗(yàn)技術(shù),對(duì)生長的樣品的形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行研究.結(jié)果表明,在優(yōu)化的蒸發(fā)速率(1.0 nm·min-1)下,所生長的薄膜質(zhì)量最好.低的蒸發(fā)速率(0.25 nm·min-1)難以抑制孔洞的形成,襯底的Si原子可通過這些孔洞擴(kuò)散到樣品表面,導(dǎo)致結(jié)晶質(zhì)量變差.在高的蒸發(fā)速率(1.8 nm·min-1)下,以島狀方式生長甚至以團(tuán)簇聚集,表面的原子難以遷移到最佳取向的平衡位置,導(dǎo)致樣品表面粗糙度變大,薄膜的結(jié)晶質(zhì)量變差,甚至出現(xiàn)多晶.
作 者： 劉忠良 劉金鋒 任鵬 徐彭壽 作者單位： 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)國家同步輻射實(shí)驗(yàn)室,合肥,230029 刊 名： 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào) ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY 年，卷(期)： 2008 28(4) 分類號(hào)： O484 TN304 關(guān)鍵詞： 蒸發(fā)速率 碳化硅 硅襯底 固源分子束外延【蒸發(fā)速率對(duì)Si襯底上SSMBE外延SiC薄膜的影響】相關(guān)文章：
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