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混沌電路電容參數(shù)的選擇優(yōu)化

時(shí)間:2023-05-01 18:02:31 數(shù)理化學(xué)論文 我要投稿
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混沌電路電容參數(shù)的選擇優(yōu)化

通過測試蔡氏電路中關(guān)鍵元件的電壓特性關(guān)系,給出了混沌電路穩(wěn)定出現(xiàn)八倍周期分岔現(xiàn)象時(shí)電路對元件性能的要求. 實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)相移電容的電壓穩(wěn)定性是實(shí)驗(yàn)的關(guān)鍵.

作 者: 王宇清 楊文明 WANG Yu-qing YANG Wen-ming   作者單位: 上海交通大學(xué),物理實(shí)驗(yàn)中心,上海,200240  刊 名: 物理實(shí)驗(yàn)  PKU 英文刊名: PHYSICS EXPERIMENTATION  年,卷(期): 2009 29(2)  分類號: O415.5 TN710  關(guān)鍵詞: 蔡氐電路   混沌   倍周期   電容-電壓特性  

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