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缺陷對(duì)二維四方光子晶體透射光譜的影響

時(shí)間:2023-04-28 05:11:25 數(shù)理化學(xué)論文 我要投稿
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缺陷對(duì)二維四方光子晶體透射光譜的影響

利用轉(zhuǎn)移矩陣法研究了二維四方光子晶體中缺陷對(duì)透射光譜的影響.結(jié)果表明缺陷對(duì)TE波的影響比對(duì)TM波的影響明顯,缺陷層填充比對(duì)禁帶寬度影響很大,TE波禁帶在填充比r/a=0.33時(shí)最寬,第一禁帶的最低頻率隨著填充比的增加向低頻移動(dòng).

作 者:   作者單位:   刊 名: 光譜實(shí)驗(yàn)室  PKU 英文刊名: CHINESE JOURNAL OF SPECTROSCOPY LABORATORY  年,卷(期): 2009 26(6)  分類(lèi)號(hào): O436.2  關(guān)鍵詞: 透射率光譜   光子晶體   光子禁帶   Transmitted Spectrum   Photonie Crystal   Photonic Band Gap  

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