Nd摻雜對(duì)ZnSe薄膜微結(jié)構(gòu)的影響

利用真空蒸發(fā)的方法制備ZnSe多晶薄膜,并采用雙源法對(duì)薄膜進(jìn)行了稀土元素Nd的摻雜.對(duì)薄膜進(jìn)行了XRD測(cè)試,并計(jì)算了薄膜的晶粒尺寸、晶格常數(shù)以及內(nèi)應(yīng)力.結(jié)果表明,當(dāng)原子配比Zn:Se=0.9:1時(shí)可制備較理想的Znse多晶薄膜,稀土Nd摻雜并未改變樣品的物相結(jié)構(gòu),摻雜使得薄膜的晶粒尺寸減小,晶胞體積增加,內(nèi)應(yīng)力和晶格常數(shù)改變.實(shí)驗(yàn)還發(fā)現(xiàn),適度的輕摻雜Nd可增加ZnSe薄膜的光透射性.

作 者： 吳蓉 李蓉萍 安曉暉 何志剛 李忠賢 WU Rong LI Rong-ping AN Xiao-hui HE Zhi-gang LI Zhong-xian   作者單位： 內(nèi)蒙古大學(xué),物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,呼和浩特,010021  刊 名： 信息記錄材料  ISTIC 英文刊名： INFORMATION RECORDING MATERIALS  年，卷(期)： 2009 10(6)  分類號(hào)： O484  關(guān)鍵詞： ZnSe薄膜   微結(jié)構(gòu)   真空蒸發(fā)   摻雜  

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