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KDP晶體臺階生長動力學(xué)的激光干涉實(shí)驗(yàn)研究
采用邁克爾遜干涉技術(shù),通過測量KDP晶體生長的法向速率和臺階斜率來研究其臺階生長的動力學(xué)系數(shù)、臺階自由能、溶質(zhì)在邊界層內(nèi)的擴(kuò)散特征以及激發(fā)晶體生長臺階的位錯活性.實(shí)驗(yàn)表明, KDP中不同活性位錯的臺階動力學(xué)系數(shù)差異較大,例如高活性和低活性臺階動力學(xué)系數(shù)分別為10.3×10-2和5.21×10-2 cm/s,位錯源在晶體表面的形狀、面積的變化,以及Burgers矢量的變化是造成晶體生長動力學(xué)測量數(shù)據(jù)重復(fù)性差的主要原因.
作 者: 盧貴武 李春喜 王子鎬 夏海瑞 孫大亮 于錫玲 關(guān)繼騰 作者單位: 盧貴武(北京化工大學(xué)化學(xué)工程學(xué)院,北京,100029;石油大學(xué)(華東)應(yīng)用物理系,東營,257062)李春喜,王子鎬(北京化工大學(xué)化學(xué)工程學(xué)院,北京,100029)
夏海瑞,孫大亮,于錫玲(山東大學(xué)晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,濟(jì)南,250100)
關(guān)繼騰(石油大學(xué)(華東)應(yīng)用物理系,東營,257062)
刊 名: 化學(xué)物理學(xué)報(bào) ISTIC SCI PKU 英文刊名: CHINESE JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS 年,卷(期): 2003 16(4) 分類號: O781 關(guān)鍵詞: 邁克爾遜干涉 KDP晶體 臺階生長 動力學(xué)系數(shù)【KDP晶體臺階生長動力學(xué)的激光干涉實(shí)驗(yàn)研究】相關(guān)文章:
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