大晶粒鈦硅沸石TS-1晶貌的離子蝕刻改性

鈦硅沸石TS-1[1]的微孔體系由同是十元氧環(huán)的直通道和"Z"字形通道相交而成, 孔徑0.51～0.56 nm, 晶體結(jié)構(gòu)與硅鋁ZSM-5沸石的MFI結(jié)構(gòu)相同. TS-1能以稀雙氧水為氧源, 使烴類發(fā)生選擇氧化, 生成含氧化合物[2～8]. 并已在催化苯酚羥基化和環(huán)己酮氨氧化方面實現(xiàn)了工業(yè)化[9]. 但通常只有小晶粒TS-1(100～300 nm)才有令人滿意的催化活性[9,10]. 迄今, 水熱合成是改變TS-1晶貌特征的唯一有效途徑, 而要得到小晶粒TS-1, 則需使用昂貴的四丙基氫氧化銨模板劑[9,11]. 文獻[12]報道, 機械球磨可以改變大晶粒沸石的晶貌, 使沸石粒度變細.

作 者： 郭洪臣 劉娜 周軍成 郭明星 王祥生 陳黎行 鄒龍江   作者單位： 郭洪臣,劉娜,周軍成,郭明星,王祥生,陳黎行(大連理工大學(xué)化工學(xué)院催化化學(xué)與工程系,大連116012)

鄒龍江(大連理工大學(xué)材料測試與分析中心,大連116023) 

刊 名： 高等學(xué)校化學(xué)學(xué)報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES  年，卷(期)： 2003 24(6)  分類號： O614  關(guān)鍵詞： 離子蝕刻   晶貌   TS-1,結(jié)晶度   活性位  

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