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不同集成度SRAM硬X射線劑量增強效應研究
給出了不同集成度16K-4Mb 隨機靜態(tài)存儲器SRAM在鈷源和北京同步輻射裝置BSRF 3W1 白光束線輻照的實驗結果;通過實驗在線測得SRAM位錯誤數隨總劑量的變化,給出相同輻照劑量時20-100keV X光輻照和Co60γ射線輻照的劑量損傷效應的比例因子;給出集成度不同的SRAM器件抗γ射線總劑量損傷能力與集成度的關系;給出不同集成度SRAM器件的X射線損傷閾值.這些結果對器件抗X射線輻射加固技術研究有重要價值.
謝亞寧,黃宇營,何偉,胡天斗(中國科學院高能物理研究所,北京,100039)
刊 名: 高能物理與核物理 ISTIC SCI PKU 英文刊名: HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS 年,卷(期): 2003 27(12) 分類號: O4 關鍵詞: 靜態(tài)存儲器 X射線 劑量增強效應 同步輻射【不同集成度SRAM硬X射線劑量增強效應研究】相關文章:
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