Sr摻雜鋯鈦酸鉛(PSZT)薄膜的電可調(diào)性能研究

采用sol-gel工藝制備了Sr摻雜Pb(Zr, Ti)O3薄膜(Pb1-xSrxZr0.52Ti0.48O3,PSZT),研究了Sr含量(x=0.2～0.8)對(duì)PSZT薄膜的結(jié)構(gòu)和性能的影響.結(jié)果表明:隨Sr含量增加,PSZT由四方相轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎较?相變溫度降低,逐漸由鐵電相向順電相轉(zhuǎn)變.薄膜的εr、可調(diào)率和tanδ隨Sr含量增加逐漸減小,這與Sr含量的增加導(dǎo)致PSZT薄膜晶格收縮有關(guān).當(dāng)x(Sr)為0.6時(shí),PSZT薄膜具有較好的綜合性能(1 MHz):可調(diào)率為48%,tanδ為0.02,表明PSZT有望成為電可調(diào)微波器件的候選材料.

作 者： 邵起越 董巖 方峰 蔣建清 SHAO Qi-yue DONG Yan FANG Feng JIANG Jan-qing   作者單位： 東南大學(xué),材料科學(xué)與工程學(xué)院,江蘇,南京,211189  刊 名： 電子元件與材料  ISTIC PKU 英文刊名： ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS  年，卷(期)： 2008 27(3)  分類號(hào)： O484.4  關(guān)鍵詞： 無機(jī)非金屬材料   鋯鈦酸鉛   Sr摻雜   電可調(diào)性能   sol-gel法  

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