氣相CdCl2退火對(duì)CdTe多晶薄膜性能的影響

利用近空間升華法在Ar+O2氣氛下沉積了CdTe多晶薄膜,并在氣相CdCl2氛圍下進(jìn)行了不同溫度的退火,對(duì)樣品進(jìn)行了厚度、XRD、SEM、透過(guò)譜,σ-T等性能測(cè)試,結(jié)果表明:退火后CdTe多晶薄膜在(111)面上仍具有擇優(yōu)取向,退火能使晶界鈍化,增加再結(jié)晶并促進(jìn)晶粒長(zhǎng)大;但對(duì)薄膜的透過(guò)率沒(méi)有影響,退火后,暗電導(dǎo)(σdark)增加,電導(dǎo)激活能(Ea)減少.得到了最優(yōu)化的退火條件.

作 者： 曾廣根 黎兵 鄭家貴 馮良桓 蔡偉 ZENG Guang-gen LI Bing ZHENG Jia-gui FENG Liang-huan CAI Wei   作者單位： 四川大學(xué)太陽(yáng)能材料與器件研究所,成都,610064  刊 名： 功能材料與器件學(xué)報(bào)  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES  年，卷(期)： 2008 14(3)  分類號(hào)： O484 TM914.4  關(guān)鍵詞： CdTe多晶薄膜   退火   太陽(yáng)電池  

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