巨磁電阻錳氧化物材料的低溫電阻率行為的研究

對(duì)巨磁電阻錳氧化物材料La2/3Ca1/3MnO3/YSZ(釔穩(wěn)定氧化鋯)(LCMO/YSZ)系列樣品低溫下電阻率行為進(jìn)行研究,低溫下電阻率行為一般是ρ=ρ0+ATa+BTb的形式,其中ρ0為剩余電阻率,a=2或3/2,b=5或9/2.T2代表電子-電子散射項(xiàng),T3/2代表被無序自旋玻璃散射的電子項(xiàng),T6代表電子.聲子散射項(xiàng),Tθ/2們代表電子-雙磁子散射項(xiàng).在此指出b=5是合理的,代表電子-聲子散射項(xiàng).

作 者： 王新峰 WANG Xin-feng   作者單位： 山東理工大學(xué)物理與光電信息技術(shù)學(xué)院,山東,淄博,255049  刊 名： 低溫物理學(xué)報(bào)  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS  年，卷(期)： 2008 30(3)  分類號(hào)： O51  關(guān)鍵詞： 巨磁電阻   低溫電阻率   電子-聲子散射  

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