(Pb1-xSrx)TiO3系鐵電薄膜的極化反轉(zhuǎn)特性

采用磁控濺射技術(shù)在Si基底上制備了(Pb1-xSrx)TiO3(簡(jiǎn)稱PST)鐵電薄膜,采用雙極性、雙脈沖方波電壓測(cè)試了其極化反轉(zhuǎn)特性.測(cè)試結(jié)果表明,所制備的PST鐵電薄膜的電流密度峰值達(dá)10-4A/mm2量級(jí),開(kāi)關(guān)時(shí)間可達(dá)1.0 ms左右,極化反轉(zhuǎn)特性較好,有望未來(lái)在Si基集成單片紅外探測(cè)焦平面陣列研制中加以應(yīng)用.

作 者： 鐘銳 王茂祥 簡(jiǎn)余良 穆志純 ZHONG Rui WANG Maoxiang JIAN Yuliang MU Zhichun   作者單位：   刊 名： 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展  ISTIC PKU 英文刊名： RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS  年，卷(期)： 2008 28(3)  分類(lèi)號(hào)： O484  關(guān)鍵詞： 鈦酸鍶鉛   鐵電薄膜   磁控濺射   極化反轉(zhuǎn)  

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