硅襯底上Zn1-xMgxO薄膜的結構與光學性質

采用脈沖激光法(PLD)在Si襯底上沉積Zn1-xMgxO薄膜.x射線衍射(XRD)表明薄膜為c軸取向,(002)峰的半高寬僅為0.211°,且沒有MgO的相偏析.透射電子顯微鏡可以清楚看到Zn1-xMgxO薄膜的c軸擇優(yōu)取向.在選區(qū)電子衍射圖中可以看到Zn1-xMgxO結晶薄膜整齊的衍射斑點.室溫下對Zn1-xMgxO薄膜進行了光致熒光光譜分析,發(fā)現(xiàn)其帶邊發(fā)射峰相對ZnO晶體有0.4eV的藍移,帶邊發(fā)射峰與雜質發(fā)射峰的強度之比高達159.Zn1-xMgxO結晶薄膜質量良好,顯示了應用于光電器件的潛力.

作 者： 鄒璐 汪雷 黃靖云 趙炳輝 葉志鎮(zhèn)   作者單位： 浙江大學硅材料國家重點實驗室,杭州,310027  刊 名： 物理學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2003 52(4)  分類號： O4  關鍵詞： Zn1-xMgxO合金薄膜   硅襯底   脈沖激光沉積法   c軸取向   光致熒光光譜  

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