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實(shí)時(shí)斜離子轟擊對Co-Cu合金薄膜結(jié)構(gòu)和磁各向異性影響

時(shí)間:2023-04-26 15:03:18 數(shù)理化學(xué)論文 我要投稿
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實(shí)時(shí)斜離子轟擊對Co-Cu合金薄膜結(jié)構(gòu)和磁各向異性影響

從0到接近90°改變離子束入射角度,用離子束輔助沉積制備了Co-Cu合金薄膜.當(dāng)離子束入射角度為45°時(shí),獲得了強(qiáng)織構(gòu)的面心立方相亞穩(wěn)相.對于入射角15°到60°的樣品,垂直于離子束入射平面的方向易磁化.斜離子束在制備過程中起到了混合效應(yīng)和溝道效應(yīng)的作用.

作 者:   作者單位:   刊 名: 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年,卷(期): 2004 24(z1)  分類號: O484.4+3 O441.2  關(guān)鍵詞: Co-Cu合金薄   膜離子束輔助沉積   入射角度   織構(gòu)   易磁化  

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