高k柵介質(zhì)薄膜材料研究進展

金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET),要求其器件特征尺寸越來越小,當光刻線寬小于100nm尺度范圍后,柵介質(zhì)氧化物層厚度開始逐漸接近(1～1.5)nm,這時電子的直接隧穿而導致柵極漏電流隨柵氧化層厚度的下降而指數(shù)上升,此外,當柵氧化層薄到一定程度后,其可靠性問題,尤其是與時間相關的擊穿及柵電極中的雜質(zhì)向襯底的擴散等問題,將嚴重影響器件的穩(wěn)定性和可靠性.因此需要尋找一種具有高介電常數(shù)的新型柵介質(zhì)材料來替代SiO2,在對溝道具有相同控制能力的條件下(柵極電容相等),利用具有高介電常數(shù)的介質(zhì)材料(一般稱為高k材料)作為柵介質(zhì)層可以增加介質(zhì)層的物理厚度,這將有效減少穿過柵介質(zhì)層的直接隧穿電流,并提高柵介質(zhì)的可靠性.本文介紹了高k柵介質(zhì)薄膜材料的制備方法,綜述了高k柵介質(zhì)薄膜材料研究的應用要求及其研究發(fā)展動態(tài).

作 者：   作者單位：   刊 名： 真空科學與技術學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2004 24(z1)  分類號： O484.1  關鍵詞： 高k柵介   質(zhì)MOSFET   CVD   PVD  

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