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Eu2+摻雜Sr2SiO4長余輝材料的熱釋光研究

時間:2023-05-07 04:31:53 數(shù)理化學(xué)論文 我要投稿
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Eu2+摻雜Sr2SiO4長余輝材料的熱釋光研究

摘要:采用高溫固相法在弱還原的氣氛下合成了Sr2SiO4高亮度的黃色長余輝材料.通過X射線衍射(XRD)分析發(fā)現(xiàn)所制得的樣品屬于α-Sr2 SiO4斜方品系結(jié)構(gòu);樣品的光致發(fā)光特性表明,在320 nm激發(fā)光的照射下,出現(xiàn)峰位為490 nm的寬帶發(fā)射峰.樣品余輝特性顯示:樣品的余輝衰減曲線符合雙指數(shù)衰減.在溫度293~598 K內(nèi)樣品有4個熱釋光峰,峰值溫度在346,420,457和552K附近.不同的等待時間熱釋光曲線表明:在衰減過程中,熱釋光峰位置發(fā)生移動,顯示材料中存在缺陷能帶;同時不同深度的陷阱能級衰減規(guī)律不同,表明了陷阱能級之間存在電子轉(zhuǎn)移現(xiàn)象. 作者: 彭鐵球  王銀海  李亞  熊毅 Author: PENG Tie-qiu  WANG Yin-hai  LI Ya  XIONG Yi 作者單位: 廣東工業(yè)大學(xué)物理與光電工程學(xué)院,廣東廣州,510006 期 刊: 光譜學(xué)與光譜分析   ISTICEISCIPKU Journal: Spectroscopy and Spectral Analysis 年,卷(期): 2011, 31(12) 分類號: O433 關(guān)鍵詞: 長余輝    熱釋光    Sr2SiO4    高溫固相法    陷阱能級    機標分類號: O48 P61 機標關(guān)鍵詞: 摻雜    長余輝材料    熱釋光峰    Long Afterglow    樣品    陷阱能級    熱釋光曲線    高溫固相法    指數(shù)衰減    余輝特性    顯示材料    峰值溫度    衰減曲線    衰減過程    衰減規(guī)律    射線衍射    光致發(fā)光    電子轉(zhuǎn)移    等待時間    存在缺陷 基金項目: 國家自然科學(xué)基金 Eu2+摻雜Sr2SiO4長余輝材料的熱釋光研究[期刊論文]  光譜學(xué)與光譜分析 --2011, 31(12)彭鐵球  王銀海  李亞  熊毅采用高溫固相法在弱還原的氣氛下合成了Sr2SiO4高亮度的黃色長余輝材料.通過X射線衍射(XRD)分析發(fā)現(xiàn)所制得的樣品屬于α-Sr2 SiO4斜方品系結(jié)構(gòu);樣品的光致發(fā)光特性表明,在320 nm激發(fā)光的照射下,出現(xiàn)峰位為490 nm的寬帶發(fā)...

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