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電荷屏蔽與恒星內(nèi)部β衰變
針對低能反應(yīng)和Gamow-Te11er共振躍遷,分析了在恒星內(nèi)部電荷屏蔽對β衰變率的影響,對共振躍遷的分析是基于核的殼層模型.作為例子,詳細計算了電荷屏蔽對56Cr的β衰變的影響.結(jié)果表明:在較低溫度和高密度下,電荷屏蔽使β衰變率有明顯地增加.這對恒星晚期演化和超新星爆發(fā)研究可能會有重要的影響.
作 者： 孫慶強 黃增光 樸紅光 羅志全 SUN Qing-qiang HUANG Zeng-guang PIAO Hong-guang LUO Zhi-quan 作者單位： 孫慶強,黃增光,樸紅光,SUN Qing-qiang,HUANG Zeng-guang,PIAO Hong-guang(淮海工學(xué)院數(shù)理科學(xué)系,連云港,222005)羅志全,LUO Zhi-quan(西華師范大學(xué)物理與電子信息學(xué)院,南充,637002)
刊 名： 天文學(xué)報 ISTIC PKU 英文刊名： ACTA ASTRONOMICA SINICA 年，卷(期)： 2007 48(1) 分類號： P148 關(guān)鍵詞： 基本粒子 中微子 核合成 恒星演化【電荷屏蔽與恒星內(nèi)部β衰變】相關(guān)文章：
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