CRRES衛(wèi)星內(nèi)部充電的模擬計算與驗證

基于Geant 4軟件建立一種用于計算航天器內(nèi)部充電所產(chǎn)生電場的方法.分析載有IDM儀器的CRRES衛(wèi)星當時所處的空間電子環(huán)境,使用該方法進行內(nèi)部充電模擬,并將模擬結(jié)果與IDM儀器所測得的放電脈沖數(shù)據(jù)進行對比,不僅驗證了該方法的有效性,更重要的是深入認識了引起航天器內(nèi)部充電的空間環(huán)境特征以及材料特性對充放電效應(yīng)的影響.介質(zhì)內(nèi)最大電場的模擬計算結(jié)果與CRRES衛(wèi)星實際觀測到的放電現(xiàn)象吻合;在材料的各項參數(shù)中,與輻射感應(yīng)電導率有關(guān)的kp系數(shù)對穩(wěn)態(tài)電場有很大影響,為了定量研究內(nèi)部充電效應(yīng),需要在實驗室精確地測定kp系數(shù);材料的暗電導率、密度以及材料的分子構(gòu)成等也與內(nèi)部充電效應(yīng)有關(guān),對這些參數(shù)細致地研究有助于對內(nèi)部充電效應(yīng)的認識.

作 者： 李學勝 焦維新 LI Xuesheng JIAO Weixin   作者單位： 北京大學地球與空間科學學院空間物理與應(yīng)用技術(shù)研究所,北京,100871  刊 名： 空間科學學報  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SPACE SCIENCE  年，卷(期)： 2007 27(4)  分類號： P353  關(guān)鍵詞： 航天器內(nèi)部充電   Geant 4軟件   CRRES/IDM  

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