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電離層突發(fā)E層與太陽活動的相關(guān)性
通過對1957-1990年3個太陽黑子周期期間不同緯度臺站的ES層的臨界頻率f0ES的觀測數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計分析,研究了太陽活動對ES層的強度與出現(xiàn)率的影響,主要結(jié)果為:f0ES的年平均值在白天與太陽活動呈強正相關(guān),在夜間呈負(fù)相關(guān). 同樣,ES的出現(xiàn)率的年變化與太陽活動的關(guān)系也是白天呈正相關(guān),夜間呈負(fù)相關(guān). 進(jìn)一步分析表明,上述白天ES層臨界頻率與太陽活動的正相關(guān)性的主要貢獻(xiàn)來自于常規(guī)E層與太陽活動的強烈相關(guān)性. 消除了背景E層電子密度的作用后,ES層的強度在白天與太陽活動呈微弱的正相關(guān),在夜間呈負(fù)相關(guān),其相關(guān)系數(shù)有比較規(guī)則的周日變化或半日變化.
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