關(guān)聯(lián)性記憶錯覺研究的新進展

DRM范式極大地促進了關(guān)聯(lián)性記憶錯覺的研究.研究者對關(guān)聯(lián)性記憶錯覺的影響因素進行了全面、深入的探討,并在此基礎(chǔ)上提出了幾個頗有見地的理論模型.這些都為我們理解記憶錯覺和記憶本身提供了新的視角和觀點.

作 者： 盧波 陳玉明   作者單位： 華南師范大學心理系,廣州,廣東,510631;湖南師范大學教育科學學院,湖南,長沙,410081  刊 名： 湖南師范大學教育科學學報  英文刊名： JOURNAL OF EDUCATIONAL SCIENCE OF HUNAN NORMAL UNIVERSITY  年，卷(期)： 2002 1(4)  分類號： B842.3  關(guān)鍵詞： DRM范式   關(guān)聯(lián)效應   記憶錯覺   關(guān)鍵誘詞   虛假記憶  

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