RF濺射ZnO薄膜工藝與結(jié)構(gòu)研究

通過RF磁控濺射在Si(100)基片上制備了ZnO薄膜,并研究了磁控濺射中各生長參數(shù),如襯底溫度、氧分壓及后處理工藝等因素對ZnO薄膜微結(jié)構(gòu)、表面形貌與結(jié)晶取向的影響.結(jié)果表明:濺射溫度和氧分壓對薄膜的微結(jié)構(gòu)與擇優(yōu)取向有很大的影響,并對不同的濺射工藝進行了分析比較,從而確定了最佳濺射及后處理條件:RF濺射溫度小于300℃,功率為50 W,ψ(Ar:O2)為20:5,退火溫度550～600℃,并獲得了c軸擇優(yōu)取向的ZnO薄膜.

作 者： 陳祝 張樹人 楊成韜 陳富貴 董加和 王升 CHEN Zhu ZHANG Shu-ren YANG Cheng-tao CHEN Fu-gui DONG Jia-he WANG Sheng   作者單位： 陳祝,CHEN Zhu(成都信息工程學院通信工程系,四川,成都,610225)

張樹人,楊成韜,陳富貴,董加和,王升,ZHANG Shu-ren,YANG Cheng-tao,CHEN Fu-gui,DONG Jia-he,WANG Sheng(電子科技大學微電子與固體電子學院,四川,成都,610054) 

刊 名： 電子元件與材料  ISTIC PKU 英文刊名： ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS  年，卷(期)： 2006 25(7)  分類號： N304.2 O484.1 TB43  關(guān)鍵詞： 無機非金屬材料   ZnO薄膜   RF磁控濺射   氧分壓   擇優(yōu)取向  

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